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LANSON捷捷微電半導體放電管,青海8DLJJMICRO放電管

更新時間:2025-08-24 編號:a9v2uj8o413ec
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  • 放電管,氣體放電管,半導體放電管,陶瓷放電管

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韓旭

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LANSON捷捷微電半導體放電管,青海8DLJJMICRO放電管

關鍵詞
放電管,臺灣放電管,5TS捷捷微電放電管,4DS捷捷微電放電管
面向地區
全國

常見放電管還有氣體放電管、壓敏電阻、TVS二極管和固體放電管。

固體放電管是一種過壓保護器件,是利用晶閘管原理制成的,依靠PN結的擊穿電流觸發器件導通放電,可以流過很大的浪涌電流或脈沖電流。其擊穿電壓的范圍,構成了過壓保護的范圍。固體放電管使用時可直接跨接在被保護電路兩端,必要情況下可以串接電阻或熔斷器,這樣就可以構成完備的過壓、過流保護電路。

通流能力

氣體放電管>壓敏電阻>TVS管

TVS管通常只有幾百A,壓敏電阻按不同規格可通過數KA到數十KA的單次8/20uS浪涌電流,氣體放電管來說通常十KA級別8/20uS浪涌電流可導通數百次。

半導體放電管是一種過壓保護器件,是利用晶閘管原理制成的,依靠PN結的擊穿電流觸發器件導通放電,可以流過很大的浪涌電流或脈沖電流。其擊穿電壓的范圍,構成了過壓保護的范圍。

選用半導體放電管應注意以下幾點:
1、大瞬間峰值電流IPP大于通訊設備標準的規定值。如FCC Part68A類型的IPP應大于100A;Bellcore 1089的IPP應大于25A。
2、轉折電壓VBO小于被保護電路所允許的大瞬間峰值電壓。
3、半導體放電管處于導通狀態(導通)時,所損耗的功率P應小于其額定功率Pcm,Pcm=KVT*IPP,其中K由短路電流的波形決定。對于指數波,方波,正弦波,三角波K值分別為1.00,1.4,2.2,2.8。
4、反向擊穿電壓VBR大于被保護電路的大工作電壓。如在POTS應用中,大振鈴電壓(150V)的峰值電壓(150*1.41=212.2V)和直流偏壓峰值(56.6V)之和為268.8V,所以應選擇VBR大于268.8V的器件。又如在ISDN應用中,大DC電壓(150V)和大信號電壓(3V)之和為153V,所以應選擇VBR大于153V的器件。
5、若要使半導體放電管通過大的浪涌電流后自復位,器件的維持電流IH大于系統所能能提供的電流值。即:IH(系統電壓/源阻抗)。
特點編輯 語音
1.適合高密度表面貼裝的防靜電浪涌。
2.適合流動和量低,可用于高頻電路。
5.高絕緣阻抗特性。
6.可進行編帶包裝。
7.符合IEC61000-4-2規格。
TSS是電壓開關型瞬態抑制二極管,就是涌抑制晶體管,或者叫做導體放電管,固體放電管等等。TSS管是利用半導體工藝制成的保護器件,半導體器件行業碩凱電子研發及生產多種規格型號的半導體放電管,主要用于信號電路的防雷保護。不能用在電源端口。 TSS器件的通流容量一般高可達到150A(8/20uS)。

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