按輸出形式分，可分為：
a、光敏器件輸出型，其中包括光敏二極管輸出型，光敏三極管輸出型，光電池輸出型，光可控硅輸出型等。
b、NPN三極管輸出型，其中包括交流輸入型，直流輸入型，互補(bǔ)輸出型等。
c、達(dá)林頓三極管輸出型，其中包括交流輸入型，直流輸入型。
d、邏輯門電路輸出型，其中包括門電路輸出型，施密特觸發(fā)輸出型，三態(tài)門電路輸出型等。
e、低導(dǎo)通輸出型（輸出低電平毫伏數(shù)量級(jí)）。
f、光開關(guān)輸出型（導(dǎo)通電阻小于10Ω）。
g、功率輸出型（IGBT/MOSFET等輸出）。
h, 光敏電阻型（通過光，控制輸出電阻， 輸出電阻可以雙向， 可以交流， 改變了PC817之類只能一個(gè)方向的不便， 純電阻材料， 無(wú)極性輸出， 如LCR－0202）

按封裝形式分，可分為同軸型，雙列直插型，TO封裝型，扁平封裝型，貼片封裝型，以及光纖傳輸型
按傳輸信號(hào)分，可分為數(shù)字型光電耦合器（OC門輸出型，圖騰柱輸出型及三態(tài)門電路輸出型等）和線性光電耦合器（可分為低漂移型，高線性型，寬帶型，單電源型，雙電源型等）。
按速度分，可分為低速光電耦合器（光敏三極管、光電池等輸出型）和高速光電耦合器（光敏二極管帶信號(hào)處理電路或者光敏集成電路輸出型）。
按通道分，可分為單通道，雙通道和多通道光電耦合器。
按隔離特性分，可分為普通隔離光電耦合器（一般光學(xué)膠灌封低于5000V，空封低于2000V）和高壓隔離光電耦合器（可分為10kV，20kV，30kV等）。
按工作電壓分，可分為低電源電壓型光電耦合器（一般5～15V）和高電源電壓型光電耦合器（一般大于30V）。

一、輸入特性
光耦合器的輸入特性實(shí)際也就是其內(nèi)部發(fā)光二極管的特性。常見的參數(shù)有：
1. 正向工作電壓Vf（Forward Voltage）
Vf是指在給定的工作電流下，LED本身的壓降。常見的小功率LED通常以If=20mA來(lái)測(cè)試正向工作電壓，當(dāng)然不同的LED，測(cè)試條件和測(cè)試結(jié)果也會(huì)不一樣。
2. 反向電壓Vr（Reverse Voltage ）
是指LED所能承受的大反向電壓，超過此反向電壓，可能會(huì)損壞LED。在使用交流脈沖驅(qū)動(dòng)LED時(shí)，要特別注意不要超過反向電壓。
3. 反向電流Ir（Reverse Current）
通常指在大反向電壓情況下，流過LED的反向電流。
4. 允許功耗Pd（Maximum Power Dissipation）
LED所能承受的大功耗值。超過此功耗，可能會(huì)損壞LED。
5. 中心波長(zhǎng)λp（Peak Wave Length）
是指LED所發(fā)出光的中心波長(zhǎng)值。波長(zhǎng)直接決定光的顏色，對(duì)于雙色或多色LED，會(huì)有幾個(gè)不同的中心波長(zhǎng)值。
6. 正向工作電流If（Forward Current）
If是指LED正常發(fā)光時(shí)所流過的正向電流值。不同的LED，其允許流過的大電流也會(huì)不一樣。
7. 正向脈沖工作電流Ifp（Peak Forward Current）
Ifp是指流過LED的正向脈沖電流值。為壽命，通常會(huì)采用脈沖形式來(lái)驅(qū)動(dòng)LED，通常LED規(guī)格書中給中的Ifp是以0.1ms脈沖寬度,占空比為1/10的脈沖電流來(lái)計(jì)算的。

二、輸出特性
光耦合器的輸出特性實(shí)際也就是其內(nèi)部光敏三極管的特性，與普通的三極管類似。常見的參數(shù)有：
1. 集電極電流Ic（Collector Current）
光敏三極管集電極所流過的電流，通常表示其大值。
2. 集電極-發(fā)射極電壓Vceo（C-E Voltage）
集電極-發(fā)射極所能承受的電壓。
3. 發(fā)射極-集電極電壓Veco（E-C Voltage）
發(fā)射極-集電極所能承受的電壓
4. 反向截止電流Iceo
5. C-E飽和電壓Vce(sat)（C-E Saturation Voltage）

以下為光電耦合器的常用參數(shù)：
反向電流IR：在被測(cè)管兩端加規(guī)定反向工作電壓VR時(shí)，二極管中流過的電流。
反向擊穿電壓VBR：被測(cè)管通過的反向電流IR為規(guī)定值時(shí)，在兩極間所產(chǎn)生的電壓降。
正向壓降VF：二極管通過的正向電流為規(guī)定值時(shí)，正負(fù)極之間所產(chǎn)生的電壓降。
正向電流IF：在被測(cè)管兩端加一定的正向電壓時(shí)二極管中流過的電流。結(jié)電容CJ：在規(guī)定偏壓下，被測(cè)管兩端的電容值。
反向擊穿電壓V(BR)CEO：發(fā)光二極管開路，集電極電流IC為規(guī)定值，集電極與發(fā)射集間的電壓降。
輸出飽和壓降VCE(sat)：發(fā)光二極管工作電流IF和集電極電流IC為規(guī)定值時(shí)，并保持IC/IF≤CTRmin時(shí)（CTRmin在被測(cè)管技術(shù)條件中規(guī)定）集電極與發(fā)射極之間的電壓降。
反向截止電流ICEO：發(fā)光二極管開路，集電極至發(fā)射極間的電壓為規(guī)定值時(shí)，流過集電極的電流為反向截止電流。
電流傳輸比CTR：輸出管的工作電壓為規(guī)定值時(shí)，輸出電流和發(fā)光二極管正向電流之比為電流傳輸比CTR。
脈沖上升時(shí)間tr,下降時(shí)間tf：光耦合器在規(guī)定工作條件下，發(fā)光二極管輸入規(guī)定電流IFP的脈沖波，輸出端管則輸出相應(yīng)的脈沖波，從輸出脈沖幅度的10%到90%，所需時(shí)間為脈沖上升時(shí)間tr。從輸出脈沖后沿幅度的90%到10%，所需時(shí)間為脈沖下降時(shí)間tf。
傳輸延遲時(shí)間tPHL,tPLH：從輸入脈沖幅度的50%到輸出脈沖電平下降到1.5V時(shí)所需時(shí)間為傳輸延遲時(shí)間tPHL。從輸入脈沖后沿幅度的50%到輸出脈沖電平上升到1.5V時(shí)所需時(shí)間為傳輸延遲時(shí)間tPLH。
入出間隔離電容CIO：光耦合器件輸入端和輸出端之間的電容值。
入出間隔離電阻RIO：半導(dǎo)體光耦合器輸入端和輸出端之間的絕緣電阻值。
入出間隔離電壓VIO：光耦合器輸入端和輸出端之間絕緣耐壓值.

CT Micro 成立時(shí)專注于提供技術(shù)，并將其構(gòu)建到我們的產(chǎn)品和解決方案中，然后可以通過我們?nèi)蚩蛻艨量痰膽?yīng)用程序?qū)嵤?br />
CT Micro 由一支技術(shù)、的團(tuán)隊(duì)管理，他們致力于光電和分立 MOSFET 產(chǎn)品的設(shè)計(jì)、營(yíng)銷和銷售。所有高層管理和技術(shù)團(tuán)隊(duì)成員都擁有超過 15 年的產(chǎn)品知識(shí)，因此可以以少的精力和時(shí)間幫助實(shí)現(xiàn)從組件選擇到實(shí)際成品實(shí)施的任何設(shè)計(jì)權(quán)利。所服務(wù)的一些終端市場(chǎng)應(yīng)用領(lǐng)域包括消費(fèi)電子、工業(yè)和家用電器。

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