光電耦合器分為兩種：一種為非線性光耦，另一種為線性光耦。非線性光耦的電流傳輸特性曲線是非線性的，這類光耦適合于開關信號的傳輸，不適合于傳輸模擬量。常用的4N系列光耦屬于非線性光耦。
線性光耦的電流傳輸特性曲線接近直線，并且小信號時性能較好，能以線性特性進行隔離控制。常用的線性光耦是PC817A—C系列。

按輸出形式分，可分為：
a、光敏器件輸出型，其中包括光敏二極管輸出型，光敏三極管輸出型，光電池輸出型，光可控硅輸出型等。
b、NPN三極管輸出型，其中包括交流輸入型，直流輸入型，互補輸出型等。
c、達林頓三極管輸出型，其中包括交流輸入型，直流輸入型。
d、邏輯門電路輸出型，其中包括門電路輸出型，施密特觸發輸出型，三態門電路輸出型等。
e、低導通輸出型（輸出低電平毫伏數量級）。
f、光開關輸出型（導通電阻小于10Ω）。
g、功率輸出型（IGBT/MOSFET等輸出）。
h, 光敏電阻型（通過光，控制輸出電阻， 輸出電阻可以雙向， 可以交流， 改變了PC817之類只能一個方向的不便， 純電阻材料， 無極性輸出， 如LCR－0202）

二、輸出特性
光耦合器的輸出特性實際也就是其內部光敏三極管的特性，與普通的三極管類似。常見的參數有：
1. 集電極電流Ic（Collector Current）
光敏三極管集電極所流過的電流，通常表示其大值。
2. 集電極-發射極電壓Vceo（C-E Voltage）
集電極-發射極所能承受的電壓。
3. 發射極-集電極電壓Veco（E-C Voltage）
發射極-集電極所能承受的電壓
4. 反向截止電流Iceo
5. C-E飽和電壓Vce(sat)（C-E Saturation Voltage）

三、隔離特性
1．入出間隔離電壓Vio（Isolation Voltage）
光耦合器輸入端和輸出端之間絕緣耐壓值。
2．入出間隔離電容Cio（Isolation Capacitance）：
光耦合器件輸入端和輸出端之間的電容值
3．入出間隔離電阻Rio：（Isolation Resistance）
半導體光耦合器輸入端和輸出端之間的絕緣電阻值。
以下為光電耦合器的常用參數：
反向電流IR：在被測管兩端加規定反向工作電壓VR時，二極管中流過的電流。
反向擊穿電壓VBR：被測管通過的反向電流IR為規定值時，在兩極間所產生的電壓降。
正向壓降VF：二極管通過的正向電流為規定值時，正負極之間所產生的電壓降。
正向電流IF：在被測管兩端加一定的正向電壓時二極管中流過的電流。結電容CJ：在規定偏壓下，被測管兩端的電容值。
反向擊穿電壓V(BR)CEO：發光二極管開路，集電極電流IC為規定值，集電極與發射集間的電壓降。
輸出飽和壓降VCE(sat)：發光二極管工作電流IF和集電極電流IC為規定值時，并保持IC/IF≤CTRmin時（CTRmin在被測管技術條件中規定）集電極與發射極之間的電壓降。
反向截止電流ICEO：發光二極管開路，集電極至發射極間的電壓為規定值時，流過集電極的電流為反向截止電流。
電流傳輸比CTR：輸出管的工作電壓為規定值時，輸出電流和發光二極管正向電流之比為電流傳輸比CTR。
脈沖上升時間tr,下降時間tf：光耦合器在規定工作條件下，發光二極管輸入規定電流IFP的脈沖波，輸出端管則輸出相應的脈沖波，從輸出脈沖幅度的10%到90%，所需時間為脈沖上升時間tr。從輸出脈沖后沿幅度的90%到10%，所需時間為脈沖下降時間tf。
傳輸延遲時間tPHL,tPLH：從輸入脈沖幅度的50%到輸出脈沖電平下降到1.5V時所需時間為傳輸延遲時間tPHL。從輸入脈沖后沿幅度的50%到輸出脈沖電平上升到1.5V時所需時間為傳輸延遲時間tPLH。
入出間隔離電容CIO：光耦合器件輸入端和輸出端之間的電容值。
入出間隔離電阻RIO：半導體光耦合器輸入端和輸出端之間的絕緣電阻值。
入出間隔離電壓VIO：光耦合器輸入端和輸出端之間絕緣耐壓值.
CT Micro 成立時專注于提供技術，并將其構建到我們的產品和解決方案中，然后可以通過我們全球客戶苛刻的應用程序實施。

CT Micro 由一支技術、的團隊管理，他們致力于光電和分立 MOSFET 產品的設計、營銷和銷售。所有高層管理和技術團隊成員都擁有超過 15 年的產品知識，因此可以以少的精力和時間幫助實現從組件選擇到實際成品實施的任何設計權利。所服務的一些終端市場應用領域包括消費電子、工業和家用電器。

了解任何佳應用和產品都需要匹配的組件， CT Micro 對我們所有的新產品實施嚴格的設計要求，并在我們的制造過程中實施世界的質量控制。對我們來說，創造可靠、的產品只是我們向客戶、社會和世界展示我們的責任的一種方式。