按封裝形式分，可分為同軸型，雙列直插型，TO封裝型，扁平封裝型，貼片封裝型，以及光纖傳輸型
按傳輸信號(hào)分，可分為數(shù)字型光電耦合器（OC門輸出型，圖騰柱輸出型及三態(tài)門電路輸出型等）和線性光電耦合器（可分為低漂移型，高線性型，寬帶型，單電源型，雙電源型等）。
按速度分，可分為低速光電耦合器（光敏三極管、光電池等輸出型）和高速光電耦合器（光敏二極管帶信號(hào)處理電路或者光敏集成電路輸出型）。
按通道分，可分為單通道，雙通道和多通道光電耦合器。
按隔離特性分，可分為普通隔離光電耦合器（一般光學(xué)膠灌封低于5000V，空封低于2000V）和高壓隔離光電耦合器（可分為10kV，20kV，30kV等）。
按工作電壓分，可分為低電源電壓型光電耦合器（一般5～15V）和高電源電壓型光電耦合器（一般大于30V）。

三、隔離特性
1．入出間隔離電壓Vio（Isolation Voltage）
光耦合器輸入端和輸出端之間絕緣耐壓值。
2．入出間隔離電容Cio（Isolation Capacitance）：
光耦合器件輸入端和輸出端之間的電容值
3．入出間隔離電阻Rio：（Isolation Resistance）
半導(dǎo)體光耦合器輸入端和輸出端之間的絕緣電阻值。

以下為光電耦合器的常用參數(shù)：
反向電流IR：在被測(cè)管兩端加規(guī)定反向工作電壓VR時(shí)，二極管中流過的電流。
反向擊穿電壓VBR：被測(cè)管通過的反向電流IR為規(guī)定值時(shí)，在兩極間所產(chǎn)生的電壓降。
正向壓降VF：二極管通過的正向電流為規(guī)定值時(shí)，正負(fù)極之間所產(chǎn)生的電壓降。
正向電流IF：在被測(cè)管兩端加一定的正向電壓時(shí)二極管中流過的電流。結(jié)電容CJ：在規(guī)定偏壓下，被測(cè)管兩端的電容值。
反向擊穿電壓V(BR)CEO：發(fā)光二極管開路，集電極電流IC為規(guī)定值，集電極與發(fā)射集間的電壓降。
輸出飽和壓降VCE(sat)：發(fā)光二極管工作電流IF和集電極電流IC為規(guī)定值時(shí)，并保持IC/IF≤CTRmin時(shí)（CTRmin在被測(cè)管技術(shù)條件中規(guī)定）集電極與發(fā)射極之間的電壓降。
反向截止電流ICEO：發(fā)光二極管開路，集電極至發(fā)射極間的電壓為規(guī)定值時(shí)，流過集電極的電流為反向截止電流。
電流傳輸比CTR：輸出管的工作電壓為規(guī)定值時(shí)，輸出電流和發(fā)光二極管正向電流之比為電流傳輸比CTR。
脈沖上升時(shí)間tr,下降時(shí)間tf：光耦合器在規(guī)定工作條件下，發(fā)光二極管輸入規(guī)定電流IFP的脈沖波，輸出端管則輸出相應(yīng)的脈沖波，從輸出脈沖幅度的10%到90%，所需時(shí)間為脈沖上升時(shí)間tr。從輸出脈沖后沿幅度的90%到10%，所需時(shí)間為脈沖下降時(shí)間tf。
傳輸延遲時(shí)間tPHL,tPLH：從輸入脈沖幅度的50%到輸出脈沖電平下降到1.5V時(shí)所需時(shí)間為傳輸延遲時(shí)間tPHL。從輸入脈沖后沿幅度的50%到輸出脈沖電平上升到1.5V時(shí)所需時(shí)間為傳輸延遲時(shí)間tPLH。
入出間隔離電容CIO：光耦合器件輸入端和輸出端之間的電容值。
入出間隔離電阻RIO：半導(dǎo)體光耦合器輸入端和輸出端之間的絕緣電阻值。
入出間隔離電壓VIO：光耦合器輸入端和輸出端之間絕緣耐壓值.

CT Micro's 采用雙模塑共面 (DMC-Isolator ? ) 封裝技術(shù)，該技術(shù)采用特的封裝材料和工藝配方設(shè)計(jì)，可提供的可靠性和隔離性能的光耦合器。

二色成型共面（DMC-隔離?）優(yōu)勢(shì)。

的隔離性能
在升高的溫度下具有一致的傳輸特性性能
固定內(nèi)部隔離間隙（通過絕緣的厚度）。
無鉛且符合 RoHS。
CT Micro 的主要目標(biāo)是朝著零缺陷邁進(jìn)。為了實(shí)現(xiàn)這一目標(biāo)，CT Micro 對(duì)從設(shè)計(jì)、制造到測(cè)試的質(zhì)量進(jìn)行了嚴(yán)格的控制。由于我們的旅程從設(shè)計(jì)開始，因此在此階段使用 DFMEA 來理解和識(shí)別設(shè)計(jì)，以便盡早進(jìn)行改進(jìn)。在制造過程中，使用統(tǒng)計(jì)過程控制（SPC）來監(jiān)控每個(gè)過程，以嚴(yán)密的 UCL 和 LCL 來保持過程控制的嚴(yán)密。這僅允許很小的偏差，確保良好和穩(wěn)定的過程。在我們的測(cè)試中使用了多個(gè)測(cè)試，以確保測(cè)試程序?qū)⒂行У睾Y選所有缺陷。保持我們對(duì)質(zhì)量CT 的承諾Micro 會(huì)定期執(zhí)行實(shí)時(shí)可靠性 (RTR)，以確保產(chǎn)品符合要求的質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn)。

CT Micro 將繼續(xù)致力于打造滿足并客戶對(duì)質(zhì)量、可靠性和服務(wù)期望的產(chǎn)品。
以下是目前市場(chǎng)上常見的高速光藕型號(hào)：

100K bit/S:
6N138、6N139、PS8703

1M bit/S:
6N135、6N136、CNW135、CNW136、PS8601、PS8602、PS8701、PS9613、PS9713、CNW4502、HCPL-2503、HCPL-4502、HCPL-2530（雙路）、HCPL-2531（雙路）

10M bit/S:
6N137、PS9614、PS9714、PS9611、PS9715、HCPL-2601、HCPL-2611、HCPL-2630（雙路）、HCPL－2631（雙路）

可控硅型光耦
還有一種光耦是可控硅型光耦。
例如：moc3063、IL420；
它們的主要指標(biāo)是負(fù)載能力；
例如：moc3063的負(fù)載能力是100mA；IL420是300mA；
型號(hào)規(guī)格 性能說明 　
4N25 晶體管輸出
4N25MC 晶體管輸出
4N26 晶體管輸出
4N27 晶體管輸出
4N28 晶體管輸出
4N29 達(dá)林頓輸出
4N30 達(dá)林頓輸出
4N31 達(dá)林頓輸出
4N32 達(dá)林頓輸出
4N33 達(dá)林頓輸出
4N33MC 達(dá)林頓輸出
4N35 達(dá)林頓輸出
4N36 晶體管輸出
4N37 晶體管輸出
4N38 晶體管輸出
4N39 可控硅輸出
6N135 高速光耦晶體管輸出
6N136 高速光耦晶體管輸出
6N137 高速光耦晶體管輸出
6N138 達(dá)林頓輸出
6N139 達(dá)林頓輸出
MOC3020 可控硅驅(qū)動(dòng)輸出
MOC3021 可控硅驅(qū)動(dòng)輸出
MOC3023 可控硅驅(qū)動(dòng)輸出
MOC3030 可控硅驅(qū)動(dòng)輸出
MOC3040 過零觸發(fā)可控硅輸出
MOC3041 過零觸發(fā)可控硅輸出
MOC3061 過零觸發(fā)可控硅輸出
MOC3081 過零觸發(fā)可控硅輸出
TLP521-1 單光耦
TLP521-2 雙光耦
TLP521-4 四光耦
TLP621 四光耦
TIL113 達(dá)林頓輸出
TIL117 TTL邏輯輸出
PC814 單光耦
PC817 單光耦
H11A2 晶體管輸出
H11D1 高壓晶體管輸出
H11G2 電阻達(dá)林頓輸