關鍵詞 |
臺灣放電管,4DS捷捷微電放電管,8TL捷捷微電放電管,5DL捷捷微電放電管 |
面向地區 |
全國 |
放電原理
TVS管基于二極管雪崩效應，壓敏電阻器基于氧化鋅晶粒間的勢壘作用，而氣體放電管則是基于氣體擊穿放電。
承壓能力
TVS管通常為5.5V到550V，壓敏電阻從10V到9000V，氣體放電管從75V到3500V。
選用半導體放電管應注意以下幾點：
1、大瞬間峰值電流IPP大于通訊設備標準的規定值。如FCC Part68A類型的IPP應大于100A；Bellcore 1089的IPP應大于25A。
2、轉折電壓VBO小于被保護電路所允許的大瞬間峰值電壓。
3、半導體放電管處于導通狀態(導通)時，所損耗的功率P應小于其額定功率Pcm，Pcm=KVT*IPP，其中K由短路電流的波形決定。對于指數波，方波，正弦波，三角波K值分別為1.00，1.4，2.2，2.8。
4、反向擊穿電壓VBR大于被保護電路的大工作電壓。如在POTS應用中，大振鈴電壓(150V)的峰值電壓(150*1.41=212.2V)和直流偏壓峰值(56.6V)之和為268.8V，所以應選擇VBR大于268.8V的器件。又如在ISDN應用中，大DC電壓(150V)和大信號電壓(3V)之和為153V，所以應選擇VBR大于153V的器件。
5、若要使半導體放電管通過大的浪涌電流后自復位，器件的維持電流IH大于系統所能能提供的電流值。即：IH(系統電壓/源阻抗)。
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