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內蒙古4DSJJMICRO放電管,氣體放電管

更新時間:2025-05-17 05:41:14 編號:482vcgroi8d992
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韓旭

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內蒙古4DSJJMICRO放電管,氣體放電管

關鍵詞
放電管,臺灣放電管,4DS捷捷微電放電管,5TS捷捷微電放電管
面向地區
全國

江蘇捷捷微電子股份有限公司創建于1995年,是一家從事半導體分立器件、電力電子元器件研發、制造和銷售的江蘇省高新技術企業、江蘇省創新型企業、中國半導體協會會員單位、中國電器工業協會電力電子分會會員單位。公司建有“江蘇省企業技術中心”、“江蘇省工程技術研究中心”。公司具備的技術創新能力、良好的市場信譽和業務網絡,是國內電力半導體器件領域中,晶閘管器件及芯片方片化IDM(整合元件制造商,即覆蓋了整個芯片產業鏈,集芯片設計,制造和封裝測試一體)的半導體廠商。公司“捷捷”牌產品已銷往日本、韓國、西班牙、新加坡、臺灣等國家和地區,可靠的質量得到了用戶的充分肯定。

放電管是一種使用于設備輸入端的高壓保護元件。若其兩端的電壓高過其保護規格值時,其內部會出現短路現象,并吸收掉輸入的過高壓。

放電原理

TVS管基于二極管雪崩效應,壓敏電阻器基于氧化鋅晶粒間的勢壘作用,而氣體放電管則是基于氣體擊穿放電。

半導體放電管是一種過壓保護器件,是利用晶閘管原理制成的,依靠PN結的擊穿電流觸發器件導通放電,可以流過很大的浪涌電流或脈沖電流。其擊穿電壓的范圍,構成了過壓保護的范圍。
選用半導體放電管應注意以下幾點:
1、大瞬間峰值電流IPP大于通訊設備標準的規定值。如FCC Part68A類型的IPP應大于100A;Bellcore 1089的IPP應大于25A。
2、轉折電壓VBO小于被保護電路所允許的大瞬間峰值電壓。
3、半導體放電管處于導通狀態(導通)時,所損耗的功率P應小于其額定功率Pcm,Pcm=KVT*IPP,其中K由短路電流的波形決定。對于指數波,方波,正弦波,三角波K值分別為1.00,1.4,2.2,2.8。
4、反向擊穿電壓VBR大于被保護電路的大工作電壓。如在POTS應用中,大振鈴電壓(150V)的峰值電壓(150*1.41=212.2V)和直流偏壓峰值(56.6V)之和為268.8V,所以應選擇VBR大于268.8V的器件。又如在ISDN應用中,大DC電壓(150V)和大信號電壓(3V)之和為153V,所以應選擇VBR大于153V的器件。
5、若要使半導體放電管通過大的浪涌電流后自復位,器件的維持電流IH大于系統所能能提供的電流值。即:IH(系統電壓/源阻抗)。
特點編輯 語音
1.適合高密度表面貼裝的防靜電浪涌。
2.適合流動和量低,可用于高頻電路。
5.高絕緣阻抗特性。
6.可進行編帶包裝。
7.符合IEC61000-4-2規格。

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公司介紹

深圳市凱集電子有限公司

深圳市凱集電子有限公司,其前身成立于2008年,是一家從事高新技術電子元器件的生產和代理銷售型企業,公司地址位于改革開放的前沿陣地深圳市,匯集各種資源,面向國內外客戶,著力提供的銷售和技術服務。 產品擁有UL,CUL,VDE,TUV,CCC,CQC,SEMKO,PSE,KTL,ASTA等各國認證,并且符合ROHS 環保指令和REACH法規的要求。廣泛應用于:手機、液晶電視、智能穿戴、無人機、新能源汽車、新能源逆變、充電樁、電源驅動、BMS、電源、手表、醫療設備、汽車電子、LED照明、家電,工業電子設備等行業。
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