江蘇捷捷微電子股份有限公司創建于1995年，是一家從事半導體分立器件、電力電子元器件研發、制造和銷售的江蘇省高新技術企業、江蘇省創新型企業、中國半導體協會會員單位、中國電器工業協會電力電子分會會員單位。公司建有“江蘇省企業技術中心”、“江蘇省工程技術研究中心”。公司具備的技術創新能力、良好的市場信譽和業務網絡，是國內電力半導體器件領域中，晶閘管器件及芯片方片化IDM（整合元件制造商，即覆蓋了整個芯片產業鏈，集芯片設計，制造和封裝測試一體）的半導體廠商。公司“捷捷”牌產品已銷往日本、韓國、西班牙、新加坡、臺灣等國家和地區，可靠的質量得到了用戶的充分肯定。

氣體放電管的結構及特性開放型氣體放電管放電通路的電氣特性主要取決于環境參數，因而工作的穩定性得不到
。為了提高氣體放電管的工作穩定性，氣體放電管大都采用金屬化陶瓷絕緣體與電極進行焊接技術，從而了封接的外殼與放電間隙的氣密性，這就為選擇放電管中的氣體種類和壓力創造了條件，氣體放電管內一般充電極有氖或氫氣體。

反應時間

TVS管>壓敏電阻>氣體放電管

TVS管為皮秒級，壓敏電阻為納秒級，氣體放電管通常為幾十個納秒甚至更多。

通流能力

氣體放電管>壓敏電阻>TVS管

TVS管通常只有幾百A，壓敏電阻按不同規格可通過數KA到數十KA的單次8/20uS浪涌電流，氣體放電管來說通常十KA級別8/20uS浪涌電流可導通數百次。
放電原理

TVS管基于二極管雪崩效應，壓敏電阻器基于氧化鋅晶粒間的勢壘作用，而氣體放電管則是基于氣體擊穿放電。
選用半導體放電管應注意以下幾點：
1、大瞬間峰值電流IPP大于通訊設備標準的規定值。如FCC Part68A類型的IPP應大于100A；Bellcore 1089的IPP應大于25A。
2、轉折電壓VBO小于被保護電路所允許的大瞬間峰值電壓。
3、半導體放電管處于導通狀態(導通)時，所損耗的功率P應小于其額定功率Pcm，Pcm=KVT*IPP，其中K由短路電流的波形決定。對于指數波，方波，正弦波，三角波K值分別為1.00，1.4，2.2，2.8。
4、反向擊穿電壓VBR大于被保護電路的大工作電壓。如在POTS應用中，大振鈴電壓(150V)的峰值電壓(150*1.41=212.2V)和直流偏壓峰值(56.6V)之和為268.8V，所以應選擇VBR大于268.8V的器件。又如在ISDN應用中，大DC電壓(150V)和大信號電壓(3V)之和為153V，所以應選擇VBR大于153V的器件。
5、若要使半導體放電管通過大的浪涌電流后自復位，器件的維持電流IH大于系統所能能提供的電流值。即：IH(系統電壓/源阻抗)。